Скоростная память HBM2E от SK Hynix вышла в массовое производство

SK Hynix перешла к производству памяти нового поколения HBM2E. На внедрение новых стандартов и разработку технологии производства потратили меньше года.

Уникальные характеристики памяти HBM2E оказались востребованными на столько, что этот продукт пошел в серию буквально с лабораторного стенда. Ведь память этого поколения обеспечила цифровым устройствам уникальную пропускную способность — до 460 Гбайт/с, что на 12% больше характеристик предыдущего поколения.

Чем хороша HBM2E

Ранее столь стремительного прироста пропускной способности ожидали от поколения HBM3, однако разработка HBM2E сумела продвинуть характеристики памяти намного дальше ожидаемого для второго поколения HBM предела. Этот продукт обеспечил:

·      3,6 Гбит/с на каждый вывод;

·      16 Гбайт объема на микросхему;

·      16 Гбит объема на слой.

При общем количестве слоев до 8 штук, поколение HBM2E превращается в супервостребованный продукт, остро необходимый индустрии ИИ. Это поколение памяти выросло из «детских» видеокарт и вошло в принципиально иную сферу применения. На сегодня главным предназначением HBM поколения называют вычисления с высокой производительностью.

SK Hynix связывает с внедрением HBM2E самые радужные надежды. По мнению вице-президента компании — господина Чонхун О — продукт поможет начать четвертую промышленную эру, связанную с внедрением систем искусственного интеллекта.